劳伦斯伯克利国家实验室的团队在《自然》杂志发表论文，用先进电子显微镜拍到了非晶硅的原子级图像——这个一直被认为是“原子乱堆”的材料里，竟然藏着几纳米尺度的短程有序原子簇。这一发现直接推翻了“非晶材料完全无序”的传统认知，更给太阳能电池、薄膜晶体管等核心器件的性

半导体 太阳能电池 晶体硅 igzo 原子簇 2025-10-01 07:30  5

不同于芯片领域的最大12寸晶圆的单晶硅器件，显示领域需要非常大的基板做切割，比如 8.6 代线大小为 2290mm×2620mm‌，面积是12寸晶圆的82.3倍。所以可以把成本做到非常低，但因为面积较大问题也被限制了无法使用优秀的单晶硅。

省电 ltpo ltps igzo 非晶硅 2025-09-29 18:43  5

这个设计的核心，就是将两种关键材料“强绑定”在一起。一方是铁电材料——锆掺杂的氧化铪，它是一种成熟的、能够与现有芯片制造工艺无缝兼容的记忆材料。另一方，则是光学平台——绝缘体上铌酸锂薄膜，这是光学界的明星材料，以其卓越的线性电光效应而闻名。

存储器 igzo 铌酸锂 fefet hzo 2025-09-28 15:10  3

2025年9月19日，新加坡国立大学（NUS）与POET Technologies的研究团队在国际权威期刊Nature Communications上发表了题为《Ferroelectric-Based Pockels Photonic Memory》的研究论文

存储器 communications igzo fefet 2025-09-27 09:39  8

本文，韩国忠北大学Woojin Park、Yonghun Kim、Byungjin Cho等研究人员在《ADVANCED MATERALS》期刊发表名“Chip-Scale Graphene/IGZO Cold Source FET Array Enablin

石墨烯 igzo fet 冷源 igzo冷源 2025-09-18 16:49  8

本文介绍了VLSI Symposium 2025上发布的一项关键技术突破，通过原子级氟掺杂提升IGZO晶体管在高温下的可靠性，实现395K、4MV/cm下ΔVTH小于44mV的性能，刷新氧化物晶体管的国际纪录，该突破对IGZO晶体管在DRAM、存算一体、3D集

晶体管 vlsi igzo 原子级 igzo晶体管 2025-09-14 11:31  11